天津大学2020考研813半导体物理与器件考试大纲 情感教育的必要性

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天津大学2020考研813半导体物理与器件考试大纲 情感教育的必要性

  是2020考研学生复习的重要参考资料,它指出了所考科目的大致考试范围,也是考研命题的重要参考依据。 2020考研大纲预计将于7月中旬公布,包括公共课考试大纲和专业课统考科目考试大纲,而自命题科目考试大纲则一般由招生院校自行公布。 目前各大招生院校已经开始陆续发布自命题科目考试大纲,跨考小编特为大家作了整理。

下面是2020考研813半导体物理与器件考试大纲,以供大家复习作参考。   一、考试的总体要求  本课程为本专业主干专业基础课,要求考生掌握半导体物理的基本概念、p-n结、MOS结构、双极晶体管、MOS晶体管等基本原理和应用。   二、考试的内容及比例  (一)考试内容要点:  第一部分:(50%)  1、半导体能带结构、半导体有效质量、空穴、杂质能级;  2、热平衡状态下半导体载流子的统计分布,本征半导体和杂质半导体的载流子浓度,简并半导体和重掺杂效应;  3、半导体的导电性:载流子的漂移运动、迁移率、散射、强电场效应、热载流子的概念,半导体电阻率与温度、杂质浓度的关系,体内负微分电导;  4、非平衡载流子:非平衡载流子的产生、复合、寿命、扩散长度、准费米能级,爱因斯坦关系,一维稳定扩散,光激发载流子衰减;  5、p-n结、MOS结构:平衡与非平衡p-n结特点及其能带图,pn结理想和非理想I-V特性,p-n结电容概念与击穿机制,p-n结隧道效应、肖特基势垒二极管;  6、MOS结构表面电场效应,理想与实际MOS结构C-V特性,MOS系统的性质(固定电荷、可动离子、界面态对C-V特性的影响),表面电场对p-n结特性的影响;  第二部分:(50%)  7、双极晶体管的基本结构、原理,少数子分布,低频电流增益和非理想效应;  8、双极晶体管的等效电路模型、频率特性和开关特性;  9、MOSFET的基本结构、原理,阈值电压,电流电压关系,击穿特性  10、MOSFET的小信号模型和频率特性;  11、MOSFET的非理想特性:亚阈值特性、沟道长度调制效应、短沟道效应和;  12、结型场效应晶体管的结构和基本工作原理;  13、光器件与功率器件的原理、特点与应用。

  (二)比例:  两部分考试内容各占50%。   三、试卷题型及比例  1、概念与问答题:40%;  2、论述题:30%;  3、计算与推导题:20%;  4、实验与综合题:10%。

  四、考试形式及时间  考试形式均为笔试。 考试时间为3小时(满分150)。

  五、参考书目  半导体物理学,(第七版),刘恩科、朱秉升、罗晋生编著,电子工业出版社。   半导体物理与器件,(第四版),赵毅强、姚素英等译,电子工业出版社。   晶体管原理与设计,陈星弼张庆中等,电子工业出版社。

  以上就是2020考研813半导体物理与器件考试大纲,如果大家对于2020考研有任何疑问,可以。

            炎热的天气说来就来,就像考研复习的时间说溜走就溜走,不给考研学生充分准备的时间。 转眼就要迎来暑期,而对于在校的考研学生来说,这是整个考研复习阶段难得的可以全天候全身心投入考研的阶段,也是成绩提升的关键阶段。

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